關于化工類畢業論文經典參考范文

　　盡管反應僅在表面幾個單分子層發生(只限于橡膠表面最外層10—1000的范圍內，不會改變橡膠的整體特性)，但是其密度和強度的增加卻說明表面能的改變。

　　1.1.4低溫等離子體處理的過程

　　對聚合物的低溫等離子體處理包括以下4個過程:脫離(ablaton);交聯(cross-linking);活化(activation)和沉積(deposition)。

　　(1)脫離：等離子體處理過程中,利用高能粒子轟擊聚合物,使弱的共價鍵斷裂,稱為脫離。脫離使得暴露在等離子體中基質的最外分子層離開基體,由真空裝置除去。由于基質表面污染層的化學鍵一般由較弱的c-h鍵構成,故等離子體處理可以除去像油薄膜一樣的污染物,使基質表面清潔,并留下活性的聚合物表面。

　　(2)交聯：交聯是聚合物分子鏈間化學鍵的形成過程。用惰性氣體的等離子體處理使經脫離的聚合物交聯,形成強硬的基質微表面。在合適的條件下,通過等離子體處理,可以提高乳膠導尿管、隱形眼鏡等的耐磨耗和化學穩定性。

　　(3)活化：聚合物表面基團同來自等離子體的化學基團的置換稱為活化在活化期間，等離子體使聚合物中的弱化學鍵斷裂，并由高活性的撥基、梭基和輕基基團取代。活化也可由氨基基團或其他功能團完成。基質特性的最終變化將視引入基質表面的化學基團的類型而定。

　　(4)沉積：在等離子體的沉積階段，通過處理氣體在基質表面的聚合形成一層薄的聚合物覆蓋層，根據氣體和處理參數的選擇情況，這些覆蓋層賦予基質各種各樣的性能和物理特性。通過用等離子體沉積的方法產生的覆蓋層，比用常規方法聚合所獲得的薄膜涂層具有高的交。

　　1.1.5 等離子體處理條件

　　本實驗設計在40～100 khz的頻率范圍內，功率200w不變，氣流量可調節的條件下通入氣體(空氣、氮氣、氧氣)，處理時間在0.5～30分鐘的范圍內變化，之后，用儀器檢測橡膠表面等離子體處理之后的變化情況。

　　1.1.6 等離子體實驗設備

　　低溫等離子體裝置是在密封容器中設置兩個或三個電極形成電場,用真空泵實現一定的真空度(1～0.1pa),隨著氣體愈來愈稀薄,分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長,受電場作用,它們發生碰撞而形成等離子體。

　　等離子體表面改性裝置,包括cgp和gpt兩個系列。cgp系列等離子體處理儀具有電暈和輝光兩種放電類型。使電暈放電不僅能在大氣中進行,也可在各種不同氣體(如ar、nh3、h2等)中進行。這一系列等離子體處理儀主要用于科研和教學。gpt系列等離子體處理儀主要用于工廠產品的小批量生產,僅有輝光放電裝置,因而反應室較大,便于盡可能多地放置改性產品。國外對等離子體處理儀也有過相關的報道。

　　平板式雙電極型等離子體反應器,它一般用13.56mhz射頻電源產生等離子體,利用電容耦合或感應耦合的方式,將射頻電源的能量傳遞給等離子體,射頻電源加在其中的一個電極上。但這種裝置不能獨立調節一定真空度下等離子體中的離子能量和離子流量,因而便產生了一種改進型的三電極型反應器。除接地電極外,另外兩個電極板上均加有射頻電源,它們通常相位相反,一個用來調節離子能量,一個用來調節離子流量。比利時eu-roplasma生產廠生產的一種架式等離子體處理系統的氣體等離子體室。等離子體處理系統一般由5個主要部分組成：(1)真空室;(2)泵組;(3)氣體導入和氣體控制系統;(4)高頻發生器;(5)用于系統控制的微處理器。

　　1.1.7 等離子體的局限性

　　改良聚合物材料的主要方法涉及到激發態化學工藝，如等離子體輝光放電、電暈放電、或火焰處理等。目前，正在對等離子體輝光放電工藝進行認真的研究，日本和歐洲已經采用一些能批量生產的工藝。但是，這些工藝由于需要高度真空來產生操作時所需的等離子體(離子化氣體)而費用昂貴，工藝復雜。因此，等離子體輝光放電工藝只能用于高附加值材料。

　　相反，電暈放電則屬于一種環境空氣工藝，不需要真空。但是，這種工藝不大適用于三維物體。火焰處理法雖然是一項費用較低的工藝，但用于三維物體時處理效果卻不均勻，而且，也不適用于對高溫敏感的材料。

　　1.2 紫外線、臭氧表面處理概述

　　對橡膠進行表面處理的目的是，清除表面雜質，提高橡膠表面的粗糙度，增加表面積，并在橡膠表面引人極性或反應性官能團，從而改善橡膠與過渡膠間的界面粘結性能。

　　由于大多數聚合物的外表面由于非極性鍵占優勢具有疏水性，不易濕潤。而許多用來涂聚合物產品的涂料、黏合劑和油墨都具有親水性。這類材料與疏水性聚合物表面不產生強烈的化學作用，因此，粘合不良。

　　改性工藝通常需要將氧和/或氮結合到聚合物的表面，這樣，在表面和涂層之間可形成強烈的相互作用，改善粘性，而又不影響其性能。